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1z电竞MOSFET应用分析

文章来源:稳压电源企业,时间:2017-09-04 15:01    点击量:

    一位1z电竞工程师曾经对我讲,他从来不看1z电竞MOSFET数据表的第一页,因为"实用"的信息只在第二页以后才出现.事实上,1z电竞MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息.但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据.

1z电竞MOSFET应用分析
    本文概括了一些1z电竞MOSFET的关键指标,这些指标在数据表上是如何表述的,以及你理解这些指标所要用到的清晰图片.像大多数电子器件一样,1z电竞MOSFET也受到工作温度的影响.所以很重要的一点是了解测试条件,所提到的指标是在这些条件下应用的.还有很关键的一点是弄明白你在"产品概况"里看到的这些指标是"最大"或是"典型"值,因为有些数据表并没有说清楚.

    1z电竞电压等级确定1z电竞MOSFET的首要特性是其漏源1z电竞电压VDS,或"漏源击穿1z电竞电压",这是在栅极短路到源极,漏极1z电竞电流在250μA情况下,1z电竞MOSFET所能承受的保证不损坏的最高1z电竞电压.

    VDS也被称为"25℃下的绝对最高1z电竞电压",但是一定要记住,这个绝对1z电竞电压与温度有关,而且数据表里通常有一个"VDS温度系数".你还要明白,最高VDS是直流1z电竞电压加上可能在1z电竞电路设计里存在的任何1z电竞电压尖峰和纹波.例如,如果你在1z电竞电压30V并带有100mV、5ns尖峰的1z电竞里使用30V器件,1z电竞电压就会超过器件的绝对最高限值,器件可能会进入雪崩模式.在这种情况下,1z电竞MOSFET的可靠性没法得到保证.

    在高温下,温度系数会显着改变击穿1z电竞电压.例如,一些600V1z电竞电压等级的N沟道1z电竞MOSFET的温度系数是正的,在接近最高结温时,温度系数会让这些1z电竞MOSFET变得象650V 1z电竞MOSFET.

    很多1z电竞MOSFET用户的设计规则要求10%~20%的降额因子.在一些设计里,考虑到实际的击穿1z电竞电压比25℃下的额定数值要高5%~10%,会在实际设计中增加相应的有用设计裕量,对设计是很有利的.

    对正确选择1z电竞MOSFET同样重要的是理解在导通过程中栅源1z电竞电压VGS的作用.这个1z电竞电压是在给定的最大RDS(on)条件下,能够确保1z电竞MOSFET完全导通的1z电竞电压.这就是为什么导通电阻总是与VGS水平关联在一起的原因.

    而且也是只有在这个1z电竞电压下才能保证器件导通.一个重要的设计结果是,你不能用比用于达到RDS(on)额定值的最低VGS还要低的1z电竞电压,来使1z电竞MOSFET完全导通.例如,用3.3V微控制器驱动1z电竞MOSFET完全导通,你需要用在VGS= 2.5V或更低条件下能够导通的1z电竞MOSFET.

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